ฝึกทำข้อสอบ กว. ออนไลน์

KW. Exploit

วิชา Power Electronics



ข้อที่ 1



  • อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใดที่มีคุณสมบัติค่าสัมประสิทธิ์ของความต้านทานเป็นแบบ positive temperature coeffecient
  • 1 : POWER DIODE
  • 2 : TRANSISTOR
  • 3 : SCR
  • 4 : POWER MOSFET


ข้อที่ 2



  • ในบรรดาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสารกึ่งตัวนำที่มี body diode อยู่ในโครงสร้าง คืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังตัวใด
  • 1 : IGBT
  • 2 : MOSFET
  • 3 : GTO
  • 4 : SCR
  • 5 : ไม่มีข้อถูก


ข้อที่ 3



  • สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ที่สามารถนำกระแสได้ 2 ทางได้แก่
  • 1 : IGBT, SCR
  • 2 : SCR, GTO
  • 3 : GTO, MOSFET
  • 4 : MOSFET, BJT


ข้อที่ 4



  • วงจรเรียงกระแสในรูป เมื่อกำหนดให้แหล่งจ่ายไฟฟ้ามีค่าแรงดันเท่ากับ 220 Vrms ความถี่เท่ากับ 50Hz ไดโอดที่ใช้ในวงจรจะต้องมีค่าแรงดัน breakdown voltage อย่างต่ำสุดมีค่าไม่น้อยกว่ากี่โวลต์
  • 1 : 110 Vpeak
  • 2 : 220 Vpeak
  • 3 : 311 Vpeak
  • 4 : 540 Vpeak


ข้อที่ 5



  • สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลัง ที่สามารถนำกระแสได้โดยไม่จำเป็นต้องคงสัญญาณขับนำไว้ตลอดเวลาหลังจากการขับครั้งแรกได้แก่
  • 1 : MOSFET, IGBT
  • 2 : IGBT, SCR
  • 3 : SCR, GTO
  • 4 : GTO, BJT


ข้อที่ 6



  • วงจรในรูป ถ้าแหล่งจ่ายไฟฟ้ามีค่าเท่ากับ 220 V มีค่าความถี่เท่ากับ 50 Hz SCR ที่ใช้ในวงจรจะต้องมีค่าแรงดัน forward breakover voltage อย่างต่ำสุดต้องมีค่าแรงดันมากกว่ากี่โวลต์โวลต์
  • 1 : 110 V
  • 2 : 220 V
  • 3 : 311 V
  • 4 : 540 V


ข้อที่ 7



  • อุปกรณ์ใดที่ไม่สามารถป้อนสัญญาณควบคุมเพื่อให้หยุดนำกระแส
  • 1 : MOSFET
  • 2 : IGBT
  • 3 : SCR
  • 4 : GTO


ข้อที่ 8



  • GTO มีคุณสมบัติเด่นในเรื่องใด
  • 1 : พิกัดกระแสสูง
  • 2 : พิกัดแรงดันสูง
  • 3 : การทำให้หยุดนำกระแสได้
  • 4 : การทำให้นำกระแสได้ 2 ทาง


ข้อที่ 9



  • อุปกรณ์ใดที่ทนแรงดันได้ทิศทางเดียว ไม่ว่าจะมีขนาดใหญ่หรือเล็กก็ตาม
  • 1 : SCR
  • 2 : BJT
  • 3 : GTO
  • 4 : MOSFET


ข้อที่ 10



  • สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังที่ให้กำลังสูงที่สุดได้แก่อุปกรณ์ชนิดใด
  • 1 : MOSFET, IGBT
  • 2 : IGBT, SCR
  • 3 : SCR, GTO
  • 4 : GTO, BJT


ข้อที่ 11



  • จงเรียงพิกัดความถี่ใช้งานของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำต่อไปนี้ จากความถี่ใช้งานต่ำสุดไปถึงความถี่ใช้งานสูงสุด
  • 1 : thyristor , IGBT, BJT, MOSFET
  • 2 : IGBT, BJT, MOSFET, Thyrister
  • 3 : Thyrister, MOSFET, BJT, IGBT
  • 4 : Thyrister, BJT, IGBT, MOSFET


ข้อที่ 12



  • เรียงลำดับความถี่สวิตชิ่งสูงสุด (Maximum switching frequency) จากต่ำไปหาสูงระหว่าง IGBT, MOSFET และ GTO
  • 1 : IGBT, MOSFET, GTO
  • 2 : MOSFET, IGBT, GTO
  • 3 : GTO, MOSFET, IGBT
  • 4 : GTO, IGBT, MOSFET


ข้อที่ 13



  • เรียงลำดับความสามารถในการทนแรงดันย้อนกลับสูงสุด (Maximum reverse blocking voltage) จากมากไปหาน้อยระหว่าง IGBT, MOSFET และ GTO
  • 1 : IGBT, MOSFET, GTO
  • 2 : MOSFET, IGBT, GTO
  • 3 : GTO, MOSFET, IGBT
  • 4 : GTO, IGBT, MOSFET


ข้อที่ 14



  • ข้อใดอธิบายวิธีการทำให้เอสซีอาร์หยุดนำกระแสได้อย่างถูกต้อง
  • 1 : หยุดป้อนสัญญาณพัลส์เข้าที่ขาเกตของเอสซีอาร์
  • 2 : ป้อนสัญญาณพัลส์ลบเข้าที่ขาเกตของเอสซีอาร์ ในขณะที่เอสซีอาร์ได้รับแรงดันรีเวอร์ส
  • 3 : ลดกระแสที่ผ่านเอสซีอาร์ให้ต่ำกว่ากระแสยึด(Holding Current)นานเป็นเวลามากกว่า turn-off time
  • 4 : ป้อนสัญญาณพัลส์บวกเข้าที่ขาเกตของเอสซีอาร์ ในขณะที่เอสซีอาร์ได้รับแรงดันรีเวอร์ส
  • 5 : ถูกทุกข้อ


ข้อที่ 15



  • เปรียบเทียบระหว่าง MOSFET และ IGBT ที่มีความสามารถเท่ากันในการนำกระแสสูงสุด (Maximum conduction current) และทนแรงดันย้อนกลับสูงสุด (Maximum reverse blocking voltage) ในขณะที่นำกระแสเท่ากันๆ กัน ความสูญเสียของ MOSFET เมื่อเปรียบเทียบกับของ IGBT จะ
  • 1 : มากกว่า
  • 2 : เท่ากัน
  • 3 : น้อยกว่า
  • 4 : ถูกทั้ง 1 และ 2


ข้อที่ 16



  • IGBTเป็นอุปกรณ์ที่มีโครงสร้างคล้ายกับการนำเอาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สองอย่างมาประกอบร่วมกัน อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สองอย่างนั้นคืออะไร
  • 1 : SCR-DIODE
  • 2 : BJT-SCR
  • 3 : MOSFET-SCR
  • 4 : BJT-MOSFET


ข้อที่ 17



  • อุปกรณ์ใดเมื่อมีการเปลี่ยนแปลงแรงดันตกคล่อมอย่างรวดเร็ว(dv/dtสู ง)จะทำให้นำกระแสได้เอง
  • 1 : SCR
  • 2 : IGBT
  • 3 : BJT
  • 4 : MOSFET


ข้อที่ 18



  • สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ให้ความถี่สูงที่สุดได้แก่
  • 1 : MOSFET, IGBT
  • 2 : IGBT, SCR
  • 3 : SCR, GTO
  • 4 : GTO, BJT


ข้อที่ 19



  • ข้อใดกล่าวถึงความแตกต่างของคุณลักษณะระหว่าง มอสเฟตกำลัง กับ ไอจีบีทีได้อย่างถูกต้อง
  • 1 : ไอจีบีทีควบคุมด้วยกระแส ส่วนมอสเฟตควบคุมด้วยแรงดัน
  • 2 : ไอจีบีทีมีความเร็วในการสวิตซ์สูงกว่ามอสเฟต
  • 3 : ไอจีบีทีมีพิกัดกำลังที่สูงกว่ามอสเฟต
  • 4 : ไอจีบีทีควบคุมด้วยแรงดัน ส่วนมอสเฟตควบคุมด้วยกระแส


ข้อที่ 20



  • สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ที่ใช้งานที่ความถี่ไม่เกิน 10 kHz
  • 1 : IGBT, SCR
  • 2 : SCR, GTO
  • 3 : GTO, MOSFET
  • 4 : MOSFET, BJT


ข้อที่ 21



  • คุณลักษณะใดที่ใช้จำแนกประเภทของ Thyristors เป็น Phase-Control Thyristors กับ Inverter-Grade Thyristors
  • 1 : พิกัดกระแส
  • 2 : พิกัดแรงดัน
  • 3 : ช่วงเวลาการตัดวงจร (turn-off time)
  • 4 : กระแสยึด(Holding Current)


ข้อที่ 22



  • จงเรียงลำดับแรงดันใช้งานของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำต่อไปนี้ จากแรงดันต่ำสุดไปหาแรงดันสูงสุด
  • 1 : SCR, BJT,IGBT, MOSFET
  • 2 : Thyristor, GTO, MOSFET, IGBT
  • 3 : MOSFET, IGBT, BJT, Thyristor
  • 4 : IGBT, BJT, SCR, MOSFET


ข้อที่ 23



  • ไดโอดชนิด Fast Recovery เหมาะกับงานประเภทใดต่อไปนี้
  • 1 : วงจรเรียงกระแสที่ด้านอินพุตเป็นไฟบ้าน
  • 2 : แหล่งจ่ายไฟแบบเชิงเส้น (linear power supply)
  • 3 : แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (switching power supply)
  • 4 : วงจรที่ใช้ระดับแรงดันต่ำๆ


ข้อที่ 24



  • อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใดที่มีพิกัดกำลังไฟฟ้าสูงสุด
  • 1 : BJT
  • 2 : IGBT
  • 3 : SCR
  • 4 : MOSFET


ข้อที่ 25



  • วงจรIGBTแสดงในรูป กระแสไฟฟ้าที่ไหลในวงจรเกตมีค่าเท่ากับเท่าไร เมื่อกำหนดให้แรงดันขับเกต Vi มีค่าเท่ากับ 20 V ความต้านทานที่ต่ออยู่กับขาเกตมีค่าเท่ากับ 20 โอหม์ โหลดมีค่าความต้านทานเท่ากับ 10 โอหม์ แหล่งจ่ายไฟฟ้าที่จ่ายให้กับโหลดมีค่าแรงดันเทากับ 200 V 
  • 1 : 0 A
  • 2 : 1 A
  • 3 : 2 A
  • 4 : 20 A



  • นาฬิกาจับเวลา